메인내용
언어별 코드
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 코드 | ko | en | zh | ja | de | es | id | vi |
마이크로파 전자관
- enmicrowave electron tube
- zh微波电子管
- jaマイクロ波電子管
- deMikrowellen-Elektronenröhre
- esmagnetrón del microondas
- idtabung elektron gelombang mikro
- viống electron vi sóng
마이크로파의 증폭, 발진에 사용되는 진공관. 보통 구조의 진공관에서의 마이크로파 영역에서 발생하는 전극 간 용량, 도입선의 인덕턴스, 전자 주행 시간 등으로 인한 불충분한 동작을 고려하여 설계된 것이다. 펜슬관, 판극관, 속도 변조관, 마그네트론, 진행파관, 후진행관 등이 있다.
장치 주소
- endevice address
- zh设备地址
- ja装置アドレス, 装置の住所、装置の居場所
- deGeräteadresse
- esdirección de dispositivo
- idalamat perangkat
- viđịa chỉ thiết bị
입출력 장치나 보조 기억 장치에 붙여지는 장치의 고유 주소.
자외선 소거 가능 피롬
약어 ultraviolet EPROM
- enultraviolet Erasable Programmable ROM
- zh紫外线擦除的可编程ROM
- ja紫外線消去型EPROM, UV-EPROM
- deultraviolettes löschbares programmierbares ROM
- esROM programable borrable ultravioleta, ultraviolet EPROM
- idultraviolet Erasable Programmable ROM, ultraviolet EPROM
- virom lập trình có thể xóa bằng tia cực tím, EPROM cực tím
자외선을 반도체 소자에 조사(照射)하여 기록 내용을 소거할 수 있는 프로그램 가능 읽기용 기억 장치(PROM, 피롬). 피롬(PROM)은 정보를 반영구적인 형태로 기억할 수도 있고, 지울 수도 있고, 새로운 정보를 프로그램할 수도 있다. 지울 수 있는 PROM은 24 또는 그 이상 핀의 이중 직렬 패키지(DIP)에 기억되는데, 상단부는 투명한 수정으로 되어 있어 짧은 파장의 자외선이 통과할 수 있다. PROM의 내용을 바꾸고 싶을 때는 집적 회로(IC) 수정 창(window)을 통하여 자외선을 쪼여서 정보를 지우고, 원하는 대로 다시 프로그램하여 넣을 수도 있다.
블록 접두어
- enblock prefix
- zh信息组前缀
- jaブロック接頭語
- deBlockvorspann
- esprefijo de bloque
- idPrefix block
- vitiền tố khối
자기 테이프상에 아스키(ASCII) 코드로 기록된 레코드의 블록 또는 비블록화 레코드에 선행하는 임의 선택 가변 길이 필드.
구내 IP 주소
약어 LIA
- enLocal IP Address
- zh本地IP地址
- jaローカルIPアドレス
- deLokale IP-Adresse
- esdirección IP local
- idAlamat IP Lokal, LIA
- viđịa chỉ IP địa phương
기업이 독자적으로 결정해서 기업 내에서만 운용하고 있는 IP 주소. 인터넷에 접속되면 전혀 다른 사용자 주소와 중복될 가능성이 있다. 보통 침입 차단 시스템(firewall)에서 전역(global) IP 주소로 변환, 접속된다.
성장 확산 트랜지스터
- engrown diffusion transistor
- zh生长扩散晶体管
- ja成長拡散トランジスター
- degewachsener Diffusionstransistor
- estransistor de difusión crecido
- idGrown diffusion transistor
- vibóng bán dẫn khuếch tán tăng
인상법(引上法)에 의해서 컬렉터 영역을 성장시킨 후 베이스와 이미터를 만드는 불순물을 동시에 투입한 다음, 다시 인상을 계속하여 이미터를 성장하고 있는 동안에 베이스 불순물을 컬렉터 쪽으로 확산시킴으로써 베이스 영역을 형성시킨 트랜지스터. 이 트랜지스터의 베이스 층은 매우 얇아 10~100MHz의 고주파에서 사용되도록 고안된 것이지만 현재는 거의 사용되지 않는다.